BSN20BKR

功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.265A SOT-23

制造商:nexperia usa inc.

系列:-

包装:剪切带(CT)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):265mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):0.49nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):20.2pF @ 30V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):310mW(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.8 欧姆 @ 200mA,10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:TO-236AB(SOT23)

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

标准包装:1

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